ELECTRONUL CONSTITUENT UNIVERSAL AL SUBSTANTEI, EXPERIENTELE LUI GALVANI, INTERVENTIA LUI VOLTA, PRIMA PILA ELECTRICA, LASERUL, PRINCIPIUL DE FUNCTIONARE AL LASERULUI



Electrostatica

TOT CEEA CE ESTE NECESAR DE STIUT

DESPRE ELECTROSTATICA!!!

Introducerea...

Istoria catorva descoperiri si Aplicatiile electrostaticii:

-inventia pilei

-laserul si aplicatiile lui

-laserul cu semiconductori

-imprimanta laser

-fenomene naturale

-Filtre electrostatice

-Fotocopiatorul

-Generatorul van de Graaff

-Aplicatii tehnice ale electrostaticii



Introducere in electrostatica

ELECTRONUL CONSTITUENT UNIVERSAL AL SUBSTANTEI

Exista in natura o particula identificabila prin urmatoarele marimi caracteristice invariabile:

me = 9,1091 * 10-31 kg
e = -1,6022 * 10-19 C
e/me = -1,7589 * 1011 C/kg

Aceste valori se obtin intotdeauna cand se efectueaza masuratori asupra electronului. Astfel toti electronii sunt identici.Se cunosc astazi nenumarate fenomene care dovedesc ca electronul este nelipsit din constitutia substantei. Prezenta electronului se manifesta in toate fenomenele electrice. El poate fi scos din substanta printr-un numar mare de metode:

Electrizarea corpurilor, cunoscuta inca din antichitate, este un proces prin care se transfera, prin frecare, electroni de la un corp la altul. Acest proces poate sa electrizeze picaturile de ulei in timp ce este privita la microscop. Poate fi folosit si pentru detectarea si masurarea intensitatii luminoase.

Efectul termoelectronic consta in emisia de electroni din corpurile incalzite la incandescenta. Fenomenul este prezent in toate becurile electrice cu incandescenta si este utilizat in tuburile electronice din aparatele de radio si T.V.

Radioactivitatea. Exista unele substante, denumite radioactive care emit radiatii invizibile, dar capabile sa innegreasca hartia fotografica sau sa ionizeze aerul prin care trece radiatia. S-a dovedit ca aceste radiatii nu sunt omogene fiind compuse din asa-numitele radiatii a,b si g. Cercetarile au dovedit ca radiatiile a sunt incarcate cu doua sarcini electrice elementare pozitive si ca au masa atomica 4,ceea ce le dezvaluie natura: ioni de heliu dublu ionizati. Radiatia ß este formata din electroni rapizi. Radiatia g nu este deviata de campurile electrice si magnetice; ea este neutra din punct de vedere electric si este de natura electromagnetica (ca si lumina).

Inventia pilei

EXPERIENTELE LUI GALVANI

In 1970, Luigi Galvani (1737-1798) a facut o observatie imtamplatoare pe care a publicat-o de-abia in 1791 in memoriul De viribus electricitatis in motu musculari.

"Dupa ce am disecat si preparat o broasca, am pus-o pe o masa pe care se gasea, la o oarecare distanta, o masina electrica. Din intamplare, unul dintre asistentii mei a atins cu varful scalpelului nervul crural intern al broastei: imediat muschii membrelor au fost agitati de convulsii violente." Unui alt asistent "i s-a parut ca a observat in acelasi moment cum din conductorul masinii a tasnit o scanteie. Eu eram ocupat atunci cu altceva, dar cand mi s-a atras atentia asupra acestui fapt, dorii mult sa incerc eu insumi experienta si sa-i descopar principalul ascuns."

Deci Galvani si-a dat seama imediat ca fusese o descoperire importanta. Descoperise un detector extrem de sensibil la curenti, sau la descarcari electrice, al caror studiu era inca defectuos; acest detector urma sa-i dezvaluie curand un mod de producere a electricitatii (in afara frecarii si a influenteielectrostatice, cunoascute pe atunci). El s-a apucat imediat sa varieze conditiile experimentale.

Intr-o zi bantuita de furtuna, el a constatat ca electricitatea atmosferica putea produce aceleasi efecte ca si masina sa. Pe vreme linistita nu a putut observa nici un fenomen, pana intr-o zi, cand, dupa ce fixase in maduva spinarii unei broaste un carlig de cupru, a inchis circuitul agatand carligul de un grilaj de fier: spasmele au aparut in aceeasi clipa.

La inceput, Galvani a atribuit aceste efecte, destul de usor de reprodus, variatiilor starii electrice a atmosferei "fiindca este destul de usor ca atunci cand facem experiente sa ne inselam si sa ne inchipuim ca vedem ceea ce dorim sa vedem."

"Am adus atunci animalul intr-o camera inchisa si l-am pus pe o placa de fier. Cand am atins placa cu carligul de cupru fixat in maduva spinarii, am observat aceleasi contractii spasmodice ca si mai inainte. Am incercat si cu alte metale si am obtinut acelasi rezultat, mai mult sau mai putin violent. Nu se producea nici un efect atunci cand se foloseau materiale neconductoare. Acest fapt, destul de surprinzator, m-a facut sa banuiesc ca electricitatea era inerenta animalului, banuiala care mi-a fost confirmata cand am observat ca un fel de circuit nervos foarte fin (asemanator cu circuitul electric al buteliei de Leyda) se inchide intre nervi si muschi atunci cand se produc contractiile."

Galvani s-a preocupat toata viata lui de teoria electricitatii animale si de comparatia cu butelia Leyda, nervul fiind armatura interna, iar muschiul armatura externa.

INTERVENTIA LUI VOLTA

Pe vremea aceea, Alessandro Volta (1745-1827) era, inca din 1779, profesor la Universitatea din Palvia. El descoperise in 1771 electroforul, prima masina electrica cu influenta - mai comoda din multe puncte de vedere decat masinile cu frecare - care i-a dat posibilitatea atat lui, cat si contemporanilor lui, sa faca numeroase experiente noi. In 1781, Volta construise un electrometru sensibil cu fire de pai, care nu era decat o perfectionare a unui aparat al lui Dufay si care a fost transformat, la randul lui, in 1787, de Bennet, intr-un electrometru cu foite de aur. In 1782, dupa ce a subtiat la extrem lama izolanta a electroforului, transormand-o intr-un simplu strat de lac care acoperea o placa metalica, Volta si-a realizat "condensatorul" sau. Cuvantul - devenit clasic - ii aprtine lui, insa aparatul nu se deosebeste in principiu de placa de sticla a lui Franklin. Cu ajutorul acestui condensator asociat cu un electrometru, Volta urma sa puna mai tarziu in evidenta, in fine, eudiometrul, cu ajutorul caruia s-a facut sinteza apei prin scantei.

In 1792, Volta intelege importanta descoperirii lui Galvani, ii reface experientele si ii accepta teoria. Precizand observatiile facute in 1754 de elvetianul Sulzer, el observa, in 1793, ca daca se pune limba intre doua rondele metalice de natura diferita, legate printr-un fir metalic, se simte o senzatie acida sau alcalina (dupa ordinea celor doua metale) si ca senzatiile sunt aceleasi daca se pune limba pe un conductor care comunica cu polul negativ sau pozitiv al unei masini electrice. Aceste experiente foarte simple i-au permis sa schiteze o clasificare "electrica" a metalelor.

Toate acestea l-au determinat ca la sfarsitul anului 1793 sa respinga complet teoria "electricitatii animale" a lui Galvani. El demonstreaza ca muschii broastei nu se contracta daca "arcul" care inchide circuitul este construit dintr-un singur metal bine recopt.

PRIMA PILA ELECTRICA

Expresia cea mai clara a ideilor pe care le avea Volta, cu putin inainte de inventarea pilei, o gasim intr-o scrisoare adresata lui Green, scrisa in 1796:

"Atingerea diferitilor conductori, in special metalici..., pe care i-as numi conductori uscati, sau de prima categorie, cu conductorii umezi, sau de categoria a doua, provoaca fluidul electric si ii imprima un anumit impuls, sau o anumita incitare. N-am posibilitatea sa explic deocamdata cum de se-ntampla acest lucru, dar este de ajuns ca avem de-a face cu un fapt, si inca un fapt general. Aceasta incitare - fie ea ca o atractie, o repulsie sau un impuls oarecare - este variata si inegala atat in raport cu diferenta dintre metale, cat si cu diferitii conductori umezi... In felul acesta, ori de cate ori se asaza intr-un sir complet de conductori fie un conductor de a doua categorie intre cei doi conductori de categoria intai, diferiti intre ei, fie un conductor din prima categorie intre doi conductori din a doua categorie de asemenea diferiti intre ei, se stabileste - la dreapta sau la stanga, dupa forta predominanta - un curent electric sau o circulatie a acestui fluid, care nu inceteaza decat rupand sirul si care se restabileste imediat, de fiecare dat cand sirul este refacut."

Principiul nu putea fi degajat mai limpede, insa efectele observate continuau sa ramana reduse: muschii de broasca si senzatia gustului pe limba erau deocamdata detectorii cei mai folositi. In acelasi an insa, in 1796, Fabbroni din Florenta observa ca daca se scufunda in apa doua lame din metale diferite care se ating intre ele, atunci una din ele - zincul de exemplu - se oxideaza. El a inteles ca intre cele doua fenomene, electric si chimic, trebuia sa existe o legatura.

La inceputul anului 1800, Volta si-a inventat pila. Intensitatea fenomenelor observate devenea sperctaculoasa si urma sa atraga atentia lumii intregi. Prima publicare a descoperirii sale a fost facuta intr-o scrisoare adresata in martie 1800 lui Sir Joseph Bancks, presedintele lui Royal Society. Se stie ca aparatul lui era o pila din perechi de discuri zinc-cupru in contact direct, fiecare pereche fiind separata de urmatoarea prin carton umed.

Laserul si Aplicatiile lui

Dispozitivul cu denumirea de LASER (obtinuta din reunirea imitialelor cuvintelor Light Amplification by Stimulated Emision of Radiation: amplificare de lumina prin emisie simulata de radiatie) este sursa care realizeaza emisia unei radiatii I.R. vizibile sau U.V. de cea mai mare monocromaticitate posibila.

Sa consideram o multime de atomi de sisteme cuantice care pentru simplificare, presupunem ca au doar doua nivele de energie. Toti atomii fiind identici, au aceeasi distanta intre cele doua nivele de energie (DE). Presupunem de asemenea pentru inceput ca toti atomii se gasesc in stare fundamentala. Inexistenta atomilor pe starea superioara face ca la o iradiere cu radiatia de rezonanata (perturbare) n=1/h*DE sa se petreaca numai tranzitii de jos in sus. Rezulta o absorbtie de energie, fasciculul ce strabate aceasta colectie de atomi va iesi atenuat. Daca am presupune ca am reusit sa ducem toti (sau cel putin majoritatea atomilor) pe nivelul superior, atunci radiatia incidenta, de frecventa de rezonanta, va determina tranzitii stimulate, de sus in jos. Va rezulta astfel un fascicul de radiatie mai intens decat cel incident. Obtinem astfel un fenomen de amplificare a radiatiei.

Problema cheie este deci realizarea situatiei in care in starea superioara sa se gaseasca un numar mai mare de atomi decat in starea inferioara. Aceasta corespunde unei situatii de neechilibru si deci nu poate sa persiste decat daca se consuma energie pentru mentinerea ei. Procesul prin care se realizeaza aceasta situatie de neechilibru (denumita si inversiune de populatie - inversiune a numarului de atomi, dintr-un ansamblu de atomi identici, care se gasesc intr-o stare determinata de energie) se numeste pompaj. Am putea compara procesul de pompaj cu procesul chimic dintr-o pila electrica, care mentine o stare de dezechilibru prin continua separare a purtatorilor de sarcina electrica din interiorul ei.

Dezvoltand analogia, putem spune ca mentinerea unei tensiuni constante la bornele pilei se realizeaza doar daca "viteza de separare" a purtatorilor din pila este mai mare ca viteza de revenire a lor prin circuitul exterior. La fel si aici, procesul de pompare va trebui sa fie mult mai intens decat cel de dezexcitare. Aceasta conditie se poate asigura daca unul dintre nivelele atomului (sa sistemului cuantic) este un nivel metastabil, care in consecinta determina o dezexcitare mai lenta (viata medie mai ridicata ca cea normala).

PRINCIPIUL DE FUNCTIONARE AL LASERULUI:

Orice corp iradiat va emite o putere mai mica decat puterea incidenta, datorita pierderilor, care pana la urma, duc la incalzirea corpului. Sa examinam insa cu mai multa atentie bilantul energetic al fenomenelor.

Sa presupunem ca trimitem asupra unui corp o radiatie electromagnetica ai carei fotoni au energie h*n, egala cu diferenta dintre energiile E2 si E1 (E2>E1) a doua nivele. daca notam cu In numarul de fotoni incidenti, de energie h*n, in unitatea de timp, atunci puterea radiatiei incidente este Pinc.=In*h*n. O parte din acesti fotoni vor fi absorbiti de atomii aflati pe nivelul inferior E1, provocand tranzitia acestora pe nivelul E2. Desigur, numarul tranzitiilor E1-->E2 in unitatea de timp va fi proportional cu numarul fotonilor incidenti In si cu numarul N1 de atomi aflati in starea E1. Notand coeficentul de proportionalitate cu B12, puterea absorbita (consumata pentru excitarea atomilor) este Pinc.=B12*In*N1*h*n. O parte din atomii aflati in starea energetica E2 vor reveni spontan pe nivelul E1 fie radiativ, fie neradiativ. Pentru simplificare, vom analiza numai dezexcitarile radiative. Fotonii emisi cu aceasta ocazie au aceeasi energie h*n, iar numarul lor va fi evident proprtional cu numarul N2 de atomi aflati pe nivelul enrgetic E2. Daca vom nota cu A21 coeficientul de proportionalitate, atunci puterea emisa de corp prin dezexcitarea spontana va fi Pinc.=A21*N2*h*n. Ea nu depinde de intensitatea radiatiei incidente In. O alta parte din atomii de pe nivelul E2 se vor dezexcita in urma actiunii fotonilor incidenti (emisie stimulata). Luand tot numai cazul radiativ, numarul fotonilor astfel formati va fi proprtional de asemenea cu N2, dar si cu numarul In al fotonilor ce provoaca aceasta emisie stimulata. Notand cu B21 coeficientul de proportionalitate, puterea emisa prin tranzitii induse va fi Pinc.=B21*In*N2*h*n. Marimile B12, A21, B21 se numesc coeficientii lui Einstein si au, printre altele, proprietatea B21=B12.

Puterea emisa de sistemul iradiat este: Pemis.= Pinc. + Pspont.+ Pind.- Pexcit.,

de unde Pemis.= Pinc.+ A21*N2*h*n+ B21*In*(N2 - N1)*h*n.

In cazul surselor obisnuite (corpuri incandescente, descarcari in gaze, flacari etc.), cel mai important termen este cel corespunzator emisiei spontane. Insa pentru a realiza o sursa in care puterea emisa sa fie mai mare decat puterea incidenta, in primul rand trebuie ca ultimul termen - singurul care ar putea aduce o contributie negativa la suma - sa fie pozitiv adica N2>N1; cu alte cuvinte, este necesar in primul rand sa se realizeze o inversiune a populatiilor intre cele doua nivele. In al doilea rand, pentru a avea, practic, numai emisie stimulata sau, cu alte cuvinte pentru ca emisia spontana sa fie neglijabila, trebuie ca termenul A21*N2*h*n sa fie neglijabil fata de ultimul. Aceasta se poate realiza marind considerabil internsitatea radiatiei incidente In. Valoarea lui In pentru care se realizeaza conditia de mai sus se numeste intensitate de prag. Ea se calculeaza pentru fiecare dispozitiv in parte, iar in calculul ei intra si coeficientii de reflezie ai suprafetelor. Asadar, daca folosim o anumita sursa de energie, realizam inversiunea de populatie intre doua nivele energetice ale atomilor unui mediu dat (care in acest caz se mai numeste si mediu activ), iar intensitatea radiatiei incidente depaseste internsitatea de prag, puterea radiata de mediu activ poate deveni mai mare decat puterea incidenta si obtinem in acest fel un amplificator cuantic de radiatie prin emisie stimulata (LASER). Daca in urma iradierii mediului activ cu o radiatie de o anumita frecventa, el furnizeaza o radiatie laser de o alta frecventa (in genral mai mica) insa de asemenea mult mai intensa, dispozitivul se numeste generator cuantic de radiatie.

Scurt istoric. Introducere in problematica LASER.

Despre efectul LASER se cunosc deja foarte multe. Aceasta ramura a stiintei s-a dezvoltat foarte mult de la inceputurile sale (1955-1965) si pana in ziua de astazi. Desi bazele teoretice erau mai mult sau mai putin stabilite, primii care reusesc sa concretizeze toate teoriile si presupunerile au fost doi rusi si un american.


In ordine sunt prezentati Charles H. Townes (Massachusetts Institute of Technology (MIT), Cambridge, MA, USA; nascut in 1915), Nicolay Gennadiyevich Basov (Lebedev Institute for Physics Akademija Nauk Moscow, USSR; nascut in 1922) si Aleksandr Mikhailovich Prokhorov (Lebedev Institute for Physics Akademija Nauk Moscow, USSR; nascut in 1916). Cei trei au impartit premiul Nobel atribuit in 1964 pentru "cercetarile fundamentale in domeniul electronicii cuantice care au condus la construirea oscilatoarelor si a amplificatorilor bazati pe principiul maser-laser".
Partea teoretica este usor de gasit in majoritatea manualelor, cursurilor si compendiilor de fizica existente asa ca lucrarea de fata nu se va concentra asupra acestui aspect. Principiul LASER consta in faptul ca atomii elibereaza energie sub forma de fotoni atunci cand parcurg tranzitia de pe un nivel de excitare metastabil spre un nivel de echilibru. Aceasta tranzitie se face sub influenta unui factor declansator si de aceea emisia de energie se numeste emisie stimulata sau emisie indusa. Odata pornita reactia aceasta se propaga sub forma piramidala astfel, un foton emis de un atom dezexcitat va declansa reactia la altul, acesta la randul lui va emite un foton si il va elibera si pe cel incident. Avem doi fotoni care se vor inmulti exponential. Astfel se produce o amplificare a radiatiei luminoase.


Realizarea practica a dispozitivelor LASER. Tipuri de laser.

Partile constituente ale unui laser sunt : mediul activ, sistemul de excitare si rezonatorul optic. Partea esentiala a unui dispozitiv laser o constituie mediul activ, adica un mediu in care se gasesc atomii aflati intr-o stare energetica superioara celei de echilibru. In acest mediu activ se produce amplificarea radiatiei luminoase (daca avem o radiatie luminoasa incidenta) sau chiar emisia si amplificarea radiatiei luminoase (daca nu avem o radiatie luminoasa incidenta). Sistemul de excitare este necesar pentru obtinerea de sisteme atomice cu mai multi atomi intr-o stare energetica superioara. Exista mai multe moduri de a realiza excitarea atomilor din mediul activ, in functie de natura mediului. Rezonatorul optic este un sistem de lentile si oglinzi necesare pentru prelucrarea optica a radiatiei emise. Desi la iesirea din mediul activ razele laser sunt aproape perfect paralele rezonatorul optic este folosit pentru colimarea mult mai precisa, pentru concentrarea razelor intr-un punct calculat, pentru dispersia razelor sau alte aplicatii necesare.
Dupa natura mediului activ deosebim mai multe tipuri de laser. Printre acestea regasim laserul cu rubin, la care distingem bara de rubin tratat drept mediul activ iar ansamblul sursa de lumina plus oglinzi poarta rolul de sistem de excitare. Laserul cu gaz foloseste amestecuri de gaze rare (He, Ne, Ar, Kr) sau CO2 drept mediu activ si o sursa de curent electric legata la doi electrozi iau rolul de sistem de excitare. 51943ino25lsp4l


LASER-ul cu semiconductori. Aprecieri teoretice.

Laserul cu semiconductori este constituit ca si celelalte tipuri de laser tot pe sablonul mediu activ, sistem de excitare, rezonator optic. In acest caz un amestec semiconductor este folosit ca mediu activ. Cel mai adesea se folosesc combinatii de metale din aceleasi perioade ale grupelor IIIa si Va. Dintre acestea semiconductorul cel mai folosit este cel format din Galiu si Arsenic (GaAs). Alte medii active au fost obtinute atat din amestecuri ale elementelor grupelor IIa si Via (Zinc si Seleniu - ZnSe) cat si din amestecuri de trei sau patru elemente. Ultimele doua sunt mai ades folosite pentru emisia unor radiatii mult mai precise din punct de vedere al lungimii de unda. Sistemul de excitare este constituit din doua straturi de semiconductori, unul de tip p si unul de tip n. Pentru a intelege mai bine aceste doua notiuni trebuie amintite cateva considerente teoretice cu privire la fizica solidului, in special principiul semiconductorilor.
Semiconductorii sunt o clasa de materiale larg folosita in electronica datorita posibilitatii controlului proprietatilor electrice. Rezistivitatea electrica a unui semiconductor scade odata cu cresterea temperaturii iar valoarea ei poate fi modificata in limite foarte largi (10-2 - 108 W cm). Intr-un semiconductor foarte pur, conductibilitatea electrica este data de electronii proprii, numita si conductibilitate intrinseca, iar in cazul materialelor impurificate avem de-a face cu o conductibilitate extrinseca. Conductibilitatea intrinseca poate fi explicata pe scurt astfel. La 0K, electronii sunt asezati in legaturile covalente formate intre atomii semiconductorului intrinsec. Odata cu cresterea temperaturii unii electroni se rup din legaturi fiind liberi sa circule in tot volumul cristalului. Se produce un fenomen de ionizare, iar in locul electronului plecat ramane un gol. Imediat el se ocupa cu un alt electron alaturat, golul se deplaseaza o pozitie. Daca aplicam un camp electric in semiconductor, electronii liberi se vor misca in sens invers campului, dar si golurile vor forma un curent pozitiv de acelasi sens cu campul. Cel mai interesant fenomen il reprezinta modificarea spectaculoasa a rezistivitatii electrice a semiconductorilor prin impurificare. Astfel, daca din 105 atomi de Siliciu unul este inlocuit cu un atom de Bor, rezistivitatea siliciului scade, la temperatura camerei, de 1000 de ori !!! Impurificare reprezinta o problema specifica si fundamentala a fizicii si tehnologiei semiconductorilor. Daca impurificam Germaniul (grupa IVa, patru electroni de valenta) cu un element din grupa a 5-a (cinci electroni de valenta) vom obtine un amestec cu un electron de valenta liber. Aceasta impuritate constituie un donor. Semiconductorul astfel impurificat este de tip n, iar nivelul sau de energie este mai aproape de zona de conductie. Daca impurificarea este facuta cu atomi din grupa a 3-a (trei electroni de valenta), acesta se va integra in reteaua cristalina cu doar trei legaturi covalente, ramanand, deci, un gol capabil de a captura electroni in jurul atomului trivalent. Din aceasta cauza atomii acestui tip de impuritati au primit numele de acceptori. Intr-un semiconductor astfel impurificat vor predomina sarcinile pozitive, de unde numele de semiconductor de tip p. Jonctiunile p - n sunt ansambluri formate prin alipirea unui semiconductor de tip p cu unul de tip n . Zona de separare, interfata, are marimi de ordinul 10-4 cm. La suprafata semiconductorului n apare un surplus de electroni iar la suprafata semiconductorului p un surplus de goluri. Astfel apare tendinta de compensare a acestora prin difuzia electronilor de la un semiconductor la celalalt.


Laserul cu semiconductori. Construire. Consideratii practice.

Revenind la laserul cu semiconductori, avand stabilita o baza teoretica minimala putem trece la detalierea practica a principiilor enuntate anterior. ns943i1525lssp

Laserul cu conductori este, de fapt, un sandwich format din 3 straturi de semiconductori la care se adauga elementele sistemului de excitare. La acest tip de laser energia necesara excitarii sistemului de atomi din mediul activ cat si factorul declansator sunt date de curentul electric care se aplica, conform figurii. Datorita faptului ca acest sandwich corespunde modelului clasic de dioda, de aici incolo se va folosi si termenul de dioda.
Randamentul unei astfel de diode este in jurul a 30% dar amplificarea este destul de mare. Curentul necesar trebuie sa aiba o densitate de cateva mii de amperi pe centimetru dar avand in vedere ca o dioda laser are marimi foarte mici, curentul necesar este adesea sub 100mA. Pentru a obtine rezultate satisfacatoare, in practica se folosesc mai multe straturi decat se prezinta in figura. Cat priveste stratul activ, lungimea lui nu depaseste 1 mm, iar grosimea sa este, in functie de model, de la 200 pana la 10 nm. In general grosimea stratului activ variaza intre 200 si 100 nm. Datorita faptului ca este atat de subtire, fascicului emis este foarte divergent (pentru un laser) si astfel laserul cu semiconductori se bazeaza foarte mult pe rezonatorul optic ce trebuie ales cu mare grija si trebuie pozitionat foarte precis pentru a obtine performante maximale. De obicei un sistem format din doua lentile plan-convexe pozitionate cu fetele convexe una spre cealalta la anumite distante calculabile este suficient pentru a obtine un fascicul destul de bine colimat cu razele aproape perfect paralele.
Din desenul de mai sus se poate observa ca emisia laser se face in doua directii. Acest fenomen este tratat in mod diferit in functie de necesitati. Se poate crea o cavitate rezonanta prin pozitionarea unei oglinzi perfecte si a uneia semitransparente, se poate folosi emisia "din spate" pentru a masura proprietatile fasciculului principal, se poate folosi aceeasi emisie din spate pentru a masura si controla curentul ce trece prin dioda. Diodele laser sunt foarte sensibile la curenti si de aceea controlul strict asupra acestora este absolut necesar. Uneori este necesara doar o variatie mica a tensiunii sau a puterii si dioda se va arde.


Diodele laser sunt poate, cele mai fragile dispozitive de emisie laser. Faptul ca stratul activ are, de fapt, marimea unei bacterii este cel ce sta la baza afirmatiei anterioare. Acest strat poate fi usor distrus prin supunerea la curenti neadecvati, prin influente electrostatice, prin incalzire excesiva. Stratul activ se poate autodistruge chiar si fara prezenta vre-unuia din factorii enumerati mai sus. Simpla emisie a luminii poate vaporiza acest strat minuscul daca lumina emisa este prea puternica.
O dioda, desi minuscula, poate dezvolta puteri ale luminii de pana la 3-5 mW. Desi sunt mai rare si mult mai scumpe, diodele ce dezvolta zeci de mii de mW exista si se gasesc in inscriptoarele de CD si in alte instrumente si aparate de profil. In ceea ce priveste divergenta fasciculului, in prezent, majoritatea pointerelor reusesc performanta de a pastra divergenta la sub un mm la fiecare 5 metri. Spectrul de culori acoperit de laserii cu semiconductori este in zona rosie 630-780 nm dar nu este limitat numai aici.
Laseri verzi sau chiar albastri exista si sunt intens cercetati. Problema este ca diodele de verde si albastru au o viata efemera (cele mai performante ating doar cateva sute de ore) si functioneaza la temperaturi scazute (apropiate de 0K). Fata de clasicul GaAs (care emite in rosu-IR), pentru laserii albastri se prefera ZnSe si GaN. Primul a fost exclus treptat din cercetari datorita rezistivitatii mari, consumului mare de energie, randamentului mic si a multor altor factori descoperiti experimental.

Ultimele cercetari s-au concentrat pe GaN, iar de cand prof. Shuji Nakamura a realizat primul montaj practic si fiabil pentru generarea laserului albastru, cercetarile au luat amploare. Un fapt inedit, la data realizarii diodei pentru laserul albastru, in 1993, Shuji Nakamura nu avea nici macar un doctorat in buzunar, era doar un simplu cercetator pierdut intr-un laborator al unei firme japoneze obscure. Recent, prof. Nakamura s-a alaturat colectivului profesoral de la Colegiul de Inginerie al Universitatii Californiene din Santa Barbara, SUA.
Revenind la laserii uzuali, trebuie mentionate si o serie de pericole ce pot apare chiar si pe langa laserii cu semiconductori care sunt cunoscuti a fi mai putin puternici. S-a calculat ca o dioda obisnuita are o putere mult mai mare chiar si decat a soarelui la ecuator. Toate amestecurile din stratul activ au o putere de emisie mult mai mare decat a aceleiasi cantitati de suprafata solara. Diodele prezente pe piata fac parte din clasele II si IIIa, ceea ce inseamna ca prezinta risc scazut de vatamare la operarea conforma cu manualul si la expunerea fugara, efemera a ochiului in raza laser. Totusi, trebuie avut in vedere ca orice expunere indelungata produce vatamari punctiforme ale retinei si nu este nevoie de efecte immediate pentru ca retina sa fie vatamata. Regula numarul unu in lucrul cu laserii, nu se priveste direct in raza laser chiar daca nu se simte nici o durere sau chiar daca raza este palida. CULOAREA SI STRALUCIREA RAZELOR LASER NU AU NICI O LEGATURA CU PUTEREA RADIATIEI. Aceste doua proprietati sunt date de lungimea de unda a radiatiei care nu influenteaza in mod decisiv puterea laserului. Pot exista laseri cu o culoare roz palida care sa fie mai nocivi decat cei mai aprinsi si rosiatici laseri. Intre "laseristi" exista o gluma: "Regula numarul unu in lucrul cu laserii: Nu te uita niciodata direct in raza laser cu unicul ochi ramas intreg !".


Utilizarea laserilor cu semiconductori. Aspecte pozitive si negative ale acestei tehnologii.

Diodele sunt larg raspandite. Faptul ca sunt ieftin de produs, usor de folosit si foarte ieftin de folosit duce la producerea lor in masa si includerea lor in cele mai multe aparate electronice ce au nevoie de laseri.
Lecturatoarele de cd, fie ele CD-ROM-uri sau CD-playere, sunt toate prevazute cu diode laser. Playerele DVD au, deasemenea, diode laser, doar ca acestea emit fascicule mult mai fine. CD-Writer-ele si CD-ReWriter-ele folosesc diode ce emit laseri apropiati de IR (800 nm) si puteri de cativa W. Aceleasi diode, dar de puteri ceva mai mici, sunt prezente si in imprimantele cu laser. Alte produse care folosesc laseri emisi de diode sunt cititoarele de coduri de bare (Bar-Code Readers), unele Scannere, Pointerele etc. Poate cel mai important folos, dupa CD/DVD-playere, este cel adus in comunicatiile prin fibra optica. In cadrul fiecarui emitator pe fibra optica se afla o dioda laser. Mai nou s-a inceput folosirea diodelor si in medicina si in holografie. Diodele nu sunt folosite in aplicatiile militare (Radar, ghidare rachete, transmisiuni de date prin eter etc.), aplicatiile astronomice (distante cosmice si determinari de compozitii), efectele speciale de anvergura si holografia de mare intindere datorita puterii limitate relativ mici pe care o dezvolta.


Concluzii.

Laserul cu semiconductori este o alternativa ieftina si fiabila la laserii cu gaz. Marimile reduse, costurile mici de fabricatie si utilizare cat si longevitatea lor confera diodelor atuuri importante in "lupta" cu celelalte dispozitive de emisie laser. Singurele dezavantaje fiind puterile relativ mici si fragilitatea, diodele sunt si vor fi cercetate extensiv pentru a fi imbunatatite. Pentru noi este important sa intelegem cum functioneaza un astfel de dispozitiv, la ce este folosit si incotro se indreapta cercetarile pentru a ne familiariza inca de pe acum cu acest tip de laser pe care il vom intalni din ce in ce mai des in viata noastra de zi cu zi. Este important sa cunoastem pericolele pe care le aduce cu sine o dioda laser precum si factorii care pot perturba buna functionare a acesteia pentru a sti cum sa ne aparam si cum sa o protejam.
Laserul cu semiconductori este un domeniu ale carui orizonturi abia acum ni se deschid, cu un viitor sigur si cu implicatii puternice in viata de zi cu zi.

Laserul cu semiconductori

Scurt istoric. Introducere in problematica LASER.

Despre efectul LASER se cunosc deja foarte multe. Aceasta ramura a stiintei s-a dezvoltat foarte mult de la inceputurile sale (1955-1965) si pana in ziua de astazi. Desi bazele teoretice erau mai mult sau mai putin stabilite, primii care reusesc sa concretizeze toate teoriile si presupunerile au fost doi rusi si un american.

In ordine sunt prezentati Charles H. Townes (Massachusetts Institute of Technology (MIT), Cambridge, MA, USA; nascut in 1915), Nicolay Gennadiyevich Basov (Lebedev Institute for Physics Akademija Nauk Moscow, USSR; nascut in 1922) si Aleksandr Mikhailovich Prokhorov (Lebedev Institute for Physics Akademija Nauk Moscow, USSR; nascut in 1916). Cei trei au impartit premiul Nobel atribuit in 1964 pentru "cercetarile fundamentale in domeniul electronicii cuantice care au condus la construirea oscilatoarelor si a amplificatorilor bazati pe principiul maser-laser".
Partea teoretica este usor de gasit in majoritatea manualelor, cursurilor si compendiilor de fizica existente asa ca lucrarea de fata nu se va concentra asupra acestui aspect. Principiul LASER consta in faptul ca atomii elibereaza energie sub forma de fotoni atunci cand parcurg tranzitia de pe un nivel de excitare metastabil spre un nivel de echilibru. Aceasta tranzitie se face sub influenta unui factor declansator si de aceea emisia de energie se numeste emisie stimulata sau emisie indusa. Odata pornita reactia aceasta se propaga sub forma piramidala astfel, un foton emis de un atom dezexcitat va declansa reactia la altul, acesta la randul lui va emite un foton si il va elibera si pe cel incident. Avem doi fotoni care se vor inmulti exponential. Astfel se produce o amplificare a radiatiei luminoase.


Realizarea practica a dispozitivelor LASER. Tipuri de laser.

Partile constituente ale unui laser sunt : mediul activ, sistemul de excitare si rezonatorul optic. Partea esentiala a unui dispozitiv laser o constituie mediul activ, adica un mediu in care se gasesc atomii aflati intr-o stare energetica superioara celei de echilibru. In acest mediu activ se produce amplificarea radiatiei luminoase (daca avem o radiatie luminoasa incidenta) sau chiar emisia si amplificarea radiatiei luminoase (daca nu avem o radiatie luminoasa incidenta). Sistemul de excitare este necesar pentru obtinerea de sisteme atomice cu mai multi atomi intr-o stare energetica superioara. Exista mai multe moduri de a realiza excitarea atomilor din mediul activ, in functie de natura mediului. Rezonatorul optic este un sistem de lentile si oglinzi necesare pentru prelucrarea optica a radiatiei emise. Desi la iesirea din mediul activ razele laser sunt aproape perfect paralele rezonatorul optic este folosit pentru colimarea mult mai precisa, pentru concentrarea razelor intr-un punct calculat, pentru dispersia razelor sau alte aplicatii necesare.
Dupa natura mediului activ deosebim mai multe tipuri de laser. Printre acestea regasim laserul cu rubin, la care distingem bara de rubin tratat drept mediul activ iar ansamblul sursa de lumina plus oglinzi poarta rolul de sistem de excitare. Laserul cu gaz foloseste amestecuri de gaze rare (He, Ne, Ar, Kr) sau CO2 drept mediu activ si o sursa de curent electric legata la doi electrozi iau rolul de sistem de excitare. 51943ino25lsp4l


LASER-ul cu semiconductori. Aprecieri teoretice.

Laserul cu semiconductori este constituit ca si celelalte tipuri de laser tot pe sablonul mediu activ, sistem de excitare, rezonator optic. In acest caz un amestec semiconductor este folosit ca mediu activ. Cel mai adesea se folosesc combinatii de metale din aceleasi perioade ale grupelor IIIa si Va. Dintre acestea semiconductorul cel mai folosit este cel format din Galiu si Arsenic (GaAs). Alte medii active au fost obtinute atat din amestecuri ale elementelor grupelor IIa si Via (Zinc si Seleniu - ZnSe) cat si din amestecuri de trei sau patru elemente. Ultimele doua sunt mai ades folosite pentru emisia unor radiatii mult mai precise din punct de vedere al lungimii de unda. Sistemul de excitare este constituit din doua straturi de semiconductori, unul de tip p si unul de tip n. Pentru a intelege mai bine aceste doua notiuni trebuie amintite cateva considerente teoretice cu privire la fizica solidului, in special principiul semiconductorilor.
Semiconductorii sunt o clasa de materiale larg folosita in electronica datorita posibilitatii controlului proprietatilor electrice. Rezistivitatea electrica a unui semiconductor scade odata cu cresterea temperaturii iar valoarea ei poate fi modificata in limite foarte largi (10-2 - 108 W cm). Intr-un semiconductor foarte pur, conductibilitatea electrica este data de electronii proprii, numita si conductibilitate intrinseca, iar in cazul materialelor impurificate avem de-a face cu o conductibilitate extrinseca. Conductibilitatea intrinseca poate fi explicata pe scurt astfel. La 0K, electronii sunt asezati in legaturile covalente formate intre atomii semiconductorului intrinsec. Odata cu cresterea temperaturii unii electroni se rup din legaturi fiind liberi sa circule in tot volumul cristalului. Se produce un fenomen de ionizare, iar in locul electronului plecat ramane un gol. Imediat el se ocupa cu un alt electron alaturat, golul se deplaseaza o pozitie. Daca aplicam un camp electric in semiconductor, electronii liberi se vor misca in sens invers campului, dar si golurile vor forma un curent pozitiv de acelasi sens cu campul. Cel mai interesant fenomen il reprezinta modificarea spectaculoasa a rezistivitatii electrice a semiconductorilor prin impurificare. Astfel, daca din 105 atomi de Siliciu unul este inlocuit cu un atom de Bor, rezistivitatea siliciului scade, la temperatura camerei, de 1000 de ori !!! Impurificare reprezinta o problema specifica si fundamentala a fizicii si tehnologiei semiconductorilor. Daca impurificam Germaniul (grupa IVa, patru electroni de valenta) cu un element din grupa a 5-a (cinci electroni de valenta) vom obtine un amestec cu un electron de valenta liber. Aceasta impuritate constituie un donor. Semiconductorul astfel impurificat este de tip n, iar nivelul sau de energie este mai aproape de zona de conductie. Daca impurificarea este facuta cu atomi din grupa a 3-a (trei electroni de valenta), acesta se va integra in reteaua cristalina cu doar trei legaturi covalente, ramanand, deci, un gol capabil de a captura electroni in jurul atomului trivalent. Din aceasta cauza atomii acestui tip de impuritati au primit numele de acceptori. Intr-un semiconductor astfel impurificat vor predomina sarcinile pozitive, de unde numele de semiconductor de tip p. Jonctiunile p - n sunt ansambluri formate prin alipirea unui semiconductor de tip p cu unul de tip n . Zona de separare, interfata, are marimi de ordinul 10-4 cm. La suprafata semiconductorului n apare un surplus de electroni iar la suprafata semiconductorului p un surplus de goluri. Astfel apare tendinta de compensare a acestora prin difuzia electronilor de la un semiconductor la celalalt.


Laserul cu semiconductori. Construire. Consideratii practice.

Revenind la laserul cu semiconductori, avand stabilita o baza teoretica minimala putem trece la detalierea practica a principiilor enuntate anterior. ns943i1525lssp

Laserul cu conductori este, de fapt, un sandwich format din 3 straturi de semiconductori la care se adauga elementele sistemului de excitare. La acest tip de laser energia necesara excitarii sistemului de atomi din mediul activ cat si factorul declansator sunt date de curentul electric care se aplica, conform figurii. Datorita faptului ca acest sandwich corespunde modelului clasic de dioda, de aici incolo se va folosi si termenul de dioda.
Randamentul unei astfel de diode este in jurul a 30% dar amplificarea este destul de mare. Curentul necesar trebuie sa aiba o densitate de cateva mii de amperi pe centimetru dar avand in vedere ca o dioda laser are marimi foarte mici, curentul necesar este adesea sub 100mA. Pentru a obtine rezultate satisfacatoare, in practica se folosesc mai multe straturi decat se prezinta in figura. Cat priveste stratul activ, lungimea lui nu depaseste 1 mm, iar grosimea sa este, in functie de model, de la 200 pana la 10 nm. In general grosimea stratului activ variaza intre 200 si 100 nm. Datorita faptului ca este atat de subtire, fascicului emis este foarte divergent (pentru un laser) si astfel laserul cu semiconductori se bazeaza foarte mult pe rezonatorul optic ce trebuie ales cu mare grija si trebuie pozitionat foarte precis pentru a obtine performante maximale. De obicei un sistem format din doua lentile plan-convexe pozitionate cu fetele convexe una spre cealalta la anumite distante calculabile este suficient pentru a obtine un fascicul destul de bine colimat cu razele aproape perfect paralele.
Din desenul de mai sus se poate observa ca emisia laser se face in doua directii. Acest fenomen este tratat in mod diferit in functie de necesitati. Se poate crea o cavitate rezonanta prin pozitionarea unei oglinzi perfecte si a uneia semitransparente, se poate folosi emisia "din spate" pentru a masura proprietatile fasciculului principal, se poate folosi aceeasi emisie din spate pentru a masura si controla curentul ce trece prin dioda. Diodele laser sunt foarte sensibile la curenti si de aceea controlul strict asupra acestora este absolut necesar. Uneori este necesara doar o variatie mica a tensiunii sau a puterii si dioda se va arde. Mai jos este un prezentat un montaj clasic de dioda cu posibilitate de control a curentului:

Diodele laser sunt poate, cele mai fragile dispozitive de emisie laser. Faptul ca stratul activ are, de fapt, marimea unei bacterii este cel ce sta la baza afirmatiei anterioare. Acest strat poate fi usor distrus prin supunerea la curenti neadecvati, prin influente electrostatice, prin incalzire excesiva. Stratul activ se poate autodistruge chiar si fara prezenta vre-unuia din factorii enumerati mai sus. Simpla emisie a luminii poate vaporiza acest strat minuscul daca lumina emisa este prea puternica.
O dioda, desi minuscula, poate dezvolta puteri ale luminii de pana la 3-5 mW. Desi sunt mai rare si mult mai scumpe, diodele ce dezvolta zeci de mii de mW exista si se gasesc in inscriptoarele de CD si in alte instrumente si aparate de profil. In ceea ce priveste divergenta fasciculului, in prezent, majoritatea pointerelor reusesc performanta de a pastra divergenta la sub un mm la fiecare 5 metri. Spectrul de culori acoperit de laserii cu semiconductori este in zona rosie 630-780 nm dar nu este limitat numai aici.
Laseri verzi sau chiar albastri exista si sunt intens cercetati. Problema este ca diodele de verde si albastru au o viata efemera (cele mai performante ating doar cateva sute de ore) si functioneaza la temperaturi scazute (apropiate de 0K). Fata de clasicul GaAs (care emite in rosu-IR), pentru laserii albastri se prefera ZnSe si GaN. Primul a fost exclus treptat din cercetari datorita rezistivitatii mari, consumului mare de energie, randamentului mic si a multor altor factori descoperiti experimental.

Ultimele cercetari s-au concentrat pe GaN, iar de cand prof. Shuji Nakamura a realizat primul montaj practic si fiabil pentru generarea laserului albastru, cercetarile au luat amploare. Un fapt inedit, la data realizarii diodei pentru laserul albastru, in 1993, Shuji Nakamura nu avea nici macar un doctorat in buzunar, era doar un simplu cercetator pierdut intr-un laborator al unei firme japoneze obscure. Recent, prof. Nakamura s-a alaturat colectivului profesoral de la Colegiul de Inginerie al Universitatii Californiene din Santa Barbara, SUA.
Revenind la laserii uzuali, trebuie mentionate si o serie de pericole ce pot apare chiar si pe langa laserii cu semiconductori care sunt cunoscuti a fi mai putin puternici. S-a calculat ca o dioda obisnuita are o putere mult mai mare chiar si decat a soarelui la ecuator. Toate amestecurile din stratul activ au o putere de emisie mult mai mare decat a aceleiasi cantitati de suprafata solara. Diodele prezente pe piata fac parte din clasele II si IIIa, ceea ce inseamna ca prezinta risc scazut de vatamare la operarea conforma cu manualul si la expunerea fugara, efemera a ochiului in raza laser. Totusi, trebuie avut in vedere ca orice expunere indelungata produce vatamari punctiforme ale retinei si nu este nevoie de efecte immediate pentru ca retina sa fie vatamata. Regula numarul unu in lucrul cu laserii, nu se priveste direct in raza laser chiar daca nu se simte nici o durere sau chiar daca raza este palida. CULOAREA SI STRALUCIREA RAZELOR LASER NU AU NICI O LEGATURA CU PUTEREA RADIATIEI. Aceste doua proprietati sunt date de lungimea de unda a radiatiei care nu influenteaza in mod decisiv puterea laserului. Pot exista laseri cu o culoare roz palida care sa fie mai nocivi decat cei mai aprinsi si rosiatici laseri. Intre "laseristi" exista o gluma: "Regula numarul unu in lucrul cu laserii: Nu te uita niciodata direct in raza laser cu unicul ochi ramas intreg !".


Utilizarea laserilor cu semiconductori. Aspecte pozitive si negative ale acestei tehnologii.

Diodele sunt larg raspandite. Faptul ca sunt ieftin de produs, usor de folosit si foarte ieftin de folosit duce la producerea lor in masa si includerea lor in cele mai multe aparate electronice ce au nevoie de laseri.
Lecturatoarele de cd, fie ele CD-ROM-uri sau CD-playere, sunt toate prevazute cu diode laser. Playerele DVD au, deasemenea, diode laser, doar ca acestea emit fascicule mult mai fine. CD-Writer-ele si CD-ReWriter-ele folosesc diode ce emit laseri apropiati de IR (800 nm) si puteri de cativa W. Aceleasi diode, dar de puteri ceva mai mici, sunt prezente si in imprimantele cu laser. Alte produse care folosesc laseri emisi de diode sunt cititoarele de coduri de bare (Bar-Code Readers), unele Scannere, Pointerele etc. Poate cel mai important folos, dupa CD/DVD-playere, este cel adus in comunicatiile prin fibra optica. In cadrul fiecarui emitator pe fibra optica se afla o dioda laser. Mai nou s-a inceput folosirea diodelor si in medicina si in holografie. Diodele nu sunt folosite in aplicatiile militare (Radar, ghidare rachete, transmisiuni de date prin eter etc.), aplicatiile astronomice (distante cosmice si determinari de compozitii), efectele speciale de anvergura si holografia de mare intindere datorita puterii limitate relativ mici pe care o dezvolta.


Concluzii.

Laserul cu semiconductori este o alternativa ieftina si fiabila la laserii cu gaz. Marimile reduse, costurile mici de fabricatie si utilizare cat si longevitatea lor confera diodelor atuuri importante in "lupta" cu celelalte dispozitive de emisie laser. Singurele dezavantaje fiind puterile relativ mici si fragilitatea, diodele sunt si vor fi cercetate extensiv pentru a fi imbunatatite. Pentru noi este important sa intelegem cum functioneaza un astfel de dispozitiv, la ce este folosit si incotro se indreapta cercetarile pentru a ne familiariza inca de pe acum cu acest tip de laser pe care il vom intalni din ce in ce mai des in viata noastra de zi cu zi. Este important sa cunoastem pericolele pe care le aduce cu sine o dioda laser precum si factorii care pot perturba buna functionare a acesteia pentru a sti cum sa ne aparam si cum sa o protejam.
Laserul cu semiconductori este un domeniu ale carui orizonturi abia acum ni se deschid, cu un viitor sigur si cu implicatii puternice in viata de zi cu zi.

Imprimanta laser

Termenul Inkjet printer e un termen foarte descriptiv al procesului (aceste printere pun o imagine pe hartie folosind mici jeturi de cerneala). Termenul Imprimanta laser si cum poate o raza laser sa scrie litere sau sa deseneze imagini pe hartie nu este tocmai inteles de toata lumea. Acesta este o explicatie a acestui fenomen:
Principiul de baza care lucreaza intr-o imprimanta laser este electricitatea statica, aceeasi energie care face hainele in masina de spalat sa stea lipite. Energia statica este o incarcatura electrica a unui obiect cum ar fi un balon sau propriul corp. Deoarece atomii incarcati cu sarcini diferite se atrag, obiectele cu energie statica opusa se atrag. O imprimanta laser foloseste acest fenomen ca un fel de lipici temporar. Componentul de baza al acestui sistem e fotoreceptorul, care e de obicei un cilindru. Acest cilindru e facut din un material foarte fotoconductor care e descarcat de fotoni de lumina.
Initial, clindrului ii este data o incarcatura pozitiva prin un fir prin care trece curent electric. In timp ce cilindrul se invarte, imprimanta scoate o raza mica de laser peste suprafata anumitor "puncte" ale foii. In aceasta faza laserul deseneaza literele si imaginile care trebuiesc printate ca o matrice de incarcaturi electrice (o imagine electrostatica). Sistemul poate de asemenea lucra cu incarcaturile inverse (adica o imagine pozitiv electrostatic pe un fundal negativ).

Dupa ce matricea este setata, imprimanta inveleste cilindrul cu toner incarcat pozitiv (un praf fin si negru). De vreme ce are o incarcatura pozitiva, tonerul se atrage de partile descarcate negativ ale cilindrului, dar nu si de fundalul incarcat pozitiv. Seamana cu scrisul pe o cutie de cola cu lipici si apoi rostogolind-o prin faina. Faina doar se lipeste pe partile cu lipici.
Cu matricea setata, cilindrul se rostogoleste pe o foaie de hartie, care se misca de-a lungul "drumului". Inainte ca hartia sa ajunga sub cilindru ii este data o incarcatura negativa de la firul de transfer. Aceasta incarcatura este mai puternica decat incarcatura negativa a imaginii electrostatice, asa ca hartia poate sa "traga " praful de toner. Deoarece se misca la aceasi viteza ca cilindrul, hartia ia exact matricea imaginii, ca sa nu se lipeasca hartia de cilindru este descarcata de catre firul de descarcare imediat ce ia tonerul.
In final, imprimanta transmite hartia prin "fuser" care topeste tonerul, acesta intrand in fibrele hartiei. Dupa cest pas hartia este data afara, fiind gata printata.

Trasnetul, fulgerul si tunetul

Trasnetul, fulgerul si tunetul care insotesc furtunile si care au ingrozit pe oameni multe secole isi gasesc explicatia stiintifica in existenta electricitatii in atmosfera.
Trasnetul este o descarcare electrica in scanteie care se produce in atmosfera terestra, fie intre doi nori, fie intre un nor si pamant.Norii de furtuna se incarca in partea lor inferioara, in special, cu sarcina negativa, iar aceasta incarca prin influenta suprafata pamantului cu sarcina pozitiva.Cand norul se deplaseaza, zona de sarcina pozitiva de pe pamant il urmareste ca o umbra.Norul si pamantul pot fi considerati drept armaturile unui condensator intre care tensiunea electrica atinge valori de ordinul zecilor si chiar al sutelor de milioane de volti. Daca tensiunea dintre doi nori sau dintre nori si pamant devine suficient de mare apare o descarcare electrica foarete puternica numita trasnet.Exista multe forme (tipuri) de trasnete: trasnetul liniar, superficial, globular, perlat, etc…
Fenomenul luminos care insoteste trasnetul se numeste fulger, iar fenomenul acustic poarta denumirea de tunet.
Lungimile pe care le pot atinge scanteile trasnetului sunt cuprinse intre cateva sute de metrii si cativa km. Diametrul scanteilor este de cativa centimetri (pana la 20 de cm).
In majoritatea cazurilor, scanteia trasnetului, la inceput foarte mica si anemica incepe in dreptul norilor si se alungeste in directia pamantului, aceasta fiind o descarcare preliminara care creaza in aer ceva in genul unui canal bun conducator de electricitate si care se deplaseaza spre pamant circa 50 de m cu o viteza egala cu 50000 km\s.Dupa un timp foarte scurt (zeci de milionimi de secunda) de la disparitia primei descarcari apare o alta descarcare preliminara care se apropie si mai mult de pamant si care se intrerupe din nou.Uneori au loc zeci de descarcari preliminare.Dupa ce descarcarea preliminara ajunge la pamant sau la un obiect aflat in legatura electrica cu pamantul, apare o luminozitate foarte puternica a canalului parcurs de scanteie, mai intai in dreptul pamantului apoi din ce in ce mai sus spre nori. Acum a aparut descarcarea principala a trasnetului, care se deplaseaza de la pamant spre nor. Deci au dreptate atat cei care sustin ca trasnetul il loveste pe om de sus, cat si cei care afirma ca il loveste de jos, din pamant.
In canalul trasnetului aerul este complet ionizat, substanta fiind aici sub forma de plasma.Datorita degajarii unei mari cantitati de energie intr-un interval de timp foarte scurt, in canalul subtire de plasma are loc un salt brusc al presiunii care produce unde de soc acustice (tunetul). Fenomenul lumimos care insoteste descarcarea se numeste fulger.
Spectaculuase sunt fulgerele globulare de diverse forme si diametre cuprinse intre cativa decimetri si zeci de metri si care se deplaseaza in aer cu viteze relativ mici, asezandu-se uneori pe diferite obiecte, iar durata lor e cuprinsa intre cateva fractiuni de secunda si cateva minute.Stingerea lor este de obicei brusca, explosiva, putand produce deteriorari insemnate ale obiectelor din regiunea respectiva.
Fulgerul al carui canal luminos nu este continuu ci fragmentat intr-o serie de formatiuni mici sferice luminoase, ce par insirate pe un fir, se numeste fulger perlat. El este considerat o forma de tranzitie intre fulgerul obisnuit si cel globular.
Statisticile arata ca in fiecare minut globul pamantesc este lovit de aproximativ 1800 trasnete, ceea ce inseamna ca annual cad aproximativ un miliard de trasnete. In fiecare zi tarsnetul omoara, pe intreg globul, 20 de persoane si raneste 80.
Impotriva efectelor produse de loviturile directe ale trasnetelor se folosesc instalatii de protectie numite paratrasnete.Paratrasnetul este format din unul sau mai multe elemente de captare (conductoare electrice de otel sau de cupru in forma de tije verticale sau de bare inclinate sau orizontale) instalate pe partile cele mai inalte ale obiectivelor protejate, precum din unul sau mai multe conductoare de coborare (prin care trece spre pamant curentul electric de descarcare a trasnetului) si prizele de pamant.

Filtre Electrostatice

Dezvoltarea industriala acceletrata a societatii omenesti a condus la o poluare accestuatat a mediului inconjurator: aer, apa, sol. De exemplu, deja in anul 1968, noxele (CO, SO2, NO2, pulberi, hidrocarburi) eliberate in atmosfera, provenind din activitati industriala, din producerea energiei si din transporturi, erau estimate, numai in SUA, la circa 177 milioane tone/an. S-au adoptat masuri legislative care impun agentilor economici sa utilizeze dispozitive adecvate pentru a diminua cat mai mult posibil poluarea atmosferei prin activitatile industriale desfasurate. Ca urmare, au fost dezvoltate diferite procedee pentru epurarea gazelor:
- precipitarea prafurilor si a "ceturilor" cu ajutorul campului electric in electrofiltre;
- desprafuirea gazelor prin trecerea lor prin straturi absorbante;
- desprafuirea gazelor in instalatii de spalare;
- centrifugarea gazelor cu impuritati sub forma de praf.
Dintre aceste procedee desprafuirea electrostatica este cea mai performanta tehnica de captare a suspensiilor aflate in prafurile si gazele industriale rezultate din diverse procese tehnologice. Aceasta metoda numita si precipitare electrostatica, a fost inventata in anul 1905 de chimistul americam Frederick G. Cottrell (1877-1948). Dispozitivul utilizat in aceasta tehnica este numit filtru electrostatic sau electrofiltru.
Electrolitul are o camera de precipitare de forma prismatica sau cilindrica, terminata la partea inferioara cu un buncar pentru colectarea particulelor depuse pe electrodul colector. Camera de precipitare este prevazuta cu un sistem de admisie a gazului impurificator care, dupa trecerea prin campul electric dintre electrodul de inalta tensiune si electrodul colector, este curatat de impuritati si eliberat in atmosfera printr-un sistem de evacuare. Cei doi electrozi sunt legati la o sursa de inalta tensiune. Intre ei se genereaza un camp electric. Deoarece electrodul de inalta tensiune este foarte subtire (are diametrul cuprins intre 1 si 8 milimetri), campul electric este neuniform radial, liniile de camp sunt mai dense in vecinatatea firului unde, prin urmare, si intensitatea campului este mai mare.
Electronii liberi din gaz sunt accelerati foarte puternic radial si produc, prin ciocniri, alti electroni si ioni pozitivi si negativi. Ionii pozitivi sunt atrasi de elctrodul central filiform si produc, prin bombardarea acestuia, noi electroni. Se genereaza astfel o descarcare electrica numita descarcare corona. Ea se manifesta sub forma unei teci luminoase foarte subtiri, in jurul firului central, presarata de puncte stalucitoare foarte apropiate intre ele. Aparitia ionilor pozitivi si negativi in zona de descarcare electrica face ca particulele care impurifica gazul sa se incarce electric in timpi foarte mici (<0,1 secunde) deoarece intr-un cm3 din zona de descarcare sunt circa 10 la a 9-a ioni negativi. Particulele de impuritati incarcate electric sunt apoi antrenate de campul electric spre electrodul de colectare unde se depune. Ele se neutralizeaza electric la contactul cu peretele si cad, sub actiunea greutatii, in buncarul din partea inferioara a camerei de precipitare. Un astfel de filtru electrostatic Cottrell poate ajunge la o eficienta de pana la 99%. Trebuie insa sa precizam ca el permite numai curatarea aerului de impuritati prezente sub forma unor mici particule solide (praf). Purificarea aerului de noxe gazoase (de exemplu, SO2) nu se poate realiza pe calea precipitarii electrostatice. Pentru aceasta sunt necesare metode mai complicate si, in general, mai costisitoare.

Fotocopiatorul

Fotocopiatoarele sunt dispozitive de reproducere a documentelor prin folosirea unui procedeu electrostatic. Procesul de fotocopiere are mai multe etape.

Prima etapa consta in incarcarea cu sarcina electrica pozitiva, a unei placi (sau a unui tambur) acoperita cu un strat de material fotoconductor, cum este, de exemplu, seleniu. Materialul fotoconductor este un conductor de electricitate de circa 10000 de ori mai bun atunci cand este este luminat decat atunci cand este in intuneric. Incarcarea cu sarcini electrice se face printr-o descarcare de tip corona, folosind un dispozitiv numit cotron.

A doua etapa, expunerea, consta in proiectarea imaginii documentului de copiat pe stratul conductor. Zonele intunecate nefiind bune conductoare electric raman incarcate cu sarcini pozitive. Zonele iluminate devin bune conductoare. Placa fiind legata la pamant, sarcini negative vin din sol si trec, prin placa, in zonele iluminate din stratul fotoconductor pana la compensarea tuturor sarcinilor pozitive din aceste zone.

A treia operatie, revelarea, consta in depunerea pe placa a unei pudre (numita toner), incarcata cu sarcini negative. Zonele intunecate, ramase incarcate cu sarcini pozitive, atrag tonerul incarcat negativ care se depune pe stratul fotoconductor numai in aceste zone.

A patra operatie, transerul imaginii, consta in asezarea unei hartii albe, incarcata electric pozitiv in prealabil, peste stratul fotoconductor. Pudra paraseste placa fiind atrasa electric de hartie.

A cincea operatie, fixarea, consta in incalzirea hartiei incarcate cu pudra. Prin incalzire, pudra se topeste si se fixeaza de hartie. Asa se explica faptul ca hartia iese din fotocopiator calda si inca electrizata.

Ulterior, stratul fotoconductor este sters de o perie si procesul poate fi reluat.

Generatorul van de Graaff

Generatoarele electrostatice transforma energia mecanica in energie electrica. Unul dintre cele mai cunoscute este generatorul Van de Graaff. El a fost inventat in 1931 de fizicianul american Robert Van de Graaff.

Daca se auce in contact o sfera incarcata electric cu suprafata interioara a unei emisfere, sarcinile electrice trec pe emisfera si se distribuie pe suprafata exterioara a emisferei. Repetand procedura se poate aduce pe suprafata exterioara a emisferei o noua sarcina, s.a.m.d.

Generatorul Van de Graaff se bazeaza chiar pe faptul ca sarcinile electrice se plaseaza,la echilibru electrostatic, pe suprafata exterioara a unui conductor si ca, in consecinta, campul electric in interiorul conductorului este nul.

Principiul de functionare al unui astfel de generator este urmatoarea:

Ionizatorul de depunere este adus la un potential ridicat fata de rola inferioara, ceea ce provoaca ionizarea gazului dintre varful ionizatorului si o banda izolatoare, avand forma unei curele fara sfarzit. Banda izolatoare este antrenata mecanic de un sistem de role. Incarcata electric ea paraseste varful ionizatorului de depunere si transporta ionii spre electrodul de inalta tensiune impotriva fortelor campului electric. Sarcinii electrice, aduse in dreptul ionizatorului de culegere, provoaca ionizarea gazului dinspre banda si ionizatorului de culegere si trec, prin intermediul acestuia, pe electrodul de inalta tensiune. Folosind un astfel de generator a fost posibila incarcarea electrodului de inalta tensiune pana la un potential de ordinul a 25 milioane de volti.

Astfel de generatoare au multiple utilizari. Ele sunt folosite, de exemplu, in laboratoare de cercetare la acceleratoare de particul folosite in fizica energiilor inalte sau pentru microscopie electronica, in tratamentul cancerului etc.

Aplicatii Tehnice ale Electrostaticii

Electrostatica are o multitudine de aplicatii tehnice de mare succes. Dintre acestea, urmatoarele sunt cele mai semnificative:

Vopsirea electrostatica are la baza urmatorul principiu. particulele de vopsea, email sau pulbere, se incarca electric prin influenta sau prin ionizare, folosind o sursa de inalta tensiune. Aceeasi sursa este folosita si pentru a crea un camp electric intre pistolul de vopsire si obiectul de vopsit. Particulele de vopsea se misca in lungul liniilor de camp, care ajung atat pe suprafata obiectului din fata pistolului cat si, in buna masura, in spatele obiectului, ceea ce asigura o excelenta acoperire cu vopsea.

Procedeul are o serie intreaga de avantaje: este rapid, asigura o buna calitate a vopsirii, reduce pierderile de vopsea etc. De aceea utilizarea acestui procedeu s-a extins foarte rapid, inclusiv la noi in tara. In SUA, deja in 1970, consumul de vopsele utilizate prin acest procedeu era de circa 1 280 000 tone.Aceasta tehnica poate fi folosita nu numai la vopsire, ci si la emailarea unor produse metalice sau la acoperirea unor suprafete metalice cu pulberi izolante (pudrare electrostatica).

O alta aplicatie care merita a fi mentionata este sortarea semintelor (de mazare, fasole, cereale) pe cale elctrostatica, in functie de culoare, pentru separarea lor de particulele straine (pietricele, aschii de lemn etc) a caror culoare este diferita.

De aseme