Masurarea unor parametri electrici ai materialelor semiconductoare

Chestiuni de studiat

Determinarea tipului de conductie electrica in monocristale de Si si Ge

Masurarea rezistivitatii prin metoda celor patru sonde si determinarea pe baza asecteia a concentratiei de impuritati.

Materiale utilizate:

Placheta 1 Si l=234 um

Placheta 2 Ge

Placheta 3 Si l=350 um

Relatii de calcul ale rezistivitatii electrice :

r         unde s=1.6

r              unde l este lungimea de difuzie pentru

fiecare placheta

Determinarea experimentala a variatiei rezistivitatii electrice relative a unui monocristal de Ge cu temperatura 1>3s.

Determinarea latimii benzii interzise pentru un semiconductor din Ge

Relatia de calcul:

W_i= 1.725**10^-4 [eV]

Schema montajului:

Semiconductor

Tabele de date si rezultate:

ρ = **l = **3.2*10^-3 = 0.58*10^-3 Ωm

l ~ 2s = 2*1.6 = 3.2 mm

ρ = *2*π*s = *2*3.14*1.6*10^-3 = 0.42 Ωm

W_i= 1.725**10^-4=1.725**10^-4

W_i= 1.725*0.106 = 0.182 eV

4. Observatii :

Conductia in cristalele de siliciu este conductie de "goluri".

Latimea benzii interzise in cristalul de germaniu scade odata cu cresterea temperaturii.

Se observa ca odata cu cresterea temperaturii tensiunea scade, iar rezistivitatea cristalului de germanium scade; curentul ramane constant.